碳化硅晶圆激光切割设备全球市场总体规模研究分析报告

碳化硅晶圆激光切割设备全球市场总体规模

据QYResearch调研团队最新报告“全球碳化硅晶圆激光切割设备市场报告2023-2029”显示，预计2029年全球碳化硅晶圆激光切割设备市场规模将达到3亿美元，未来几年年复合增长率CAGR为16.3%。

图00001. 碳化硅晶圆激光切割设备，全球市场总体规模

碳化硅晶圆激光切割设备定义

碳化硅 (SiC) 于 1893 年被发现，作为砂轮和汽车制动器的工业磨料。 大约在 20 世纪中叶，SiC 晶圆的用途不断增长，并纳入 LED 技术。 从那时起，由于其有利的物理特性，它已扩展到众多半导体应用中。 这些特性在半导体行业内外的广泛用途中显而易见。 随着摩尔定律似乎达到极限，半导体行业的许多公司都将碳化硅视为未来的半导体材料。

与更传统的硅衬底相比，使用碳化硅有许多优点。 主要优点之一是其硬度。 这使得该材料在高速、高温和/或高压应用中具有许多优势。

碳化硅晶片具有高导热性，这意味着它们可以将热量从一点很好地传递到另一点。 这提高了其导电性并最终实现小型化，这是改用 SiC 晶圆的共同目标之一。

碳化硅衬底还具有较低的热膨胀系数。 热膨胀是材料在加热或冷却时膨胀或收缩的量和方向。 最常见的解释是冰，尽管它的行为与大多数金属相反，冷却时膨胀，加热时收缩。 碳化硅的热膨胀系数低，这意味着它在加热或冷却时尺寸或形状不会发生显着变化，这使其非常适合安装到小型设备中并将更多晶体管封装到单个芯片上。

SiC具有与金刚石相似的硬度。 因此用金刚石刀片切割SiC会产生崩边和裂纹等缺陷，从而引起漏电流，不能满足汽车应用的严格要求。

激光切割碳化硅的方案是激光改良切割技术。 其原理是利用高透射波长的激光束通过透镜聚焦在晶圆内部，发生多光子吸收，产生局部形变层，即改性层。 该层主要由孔洞、高位错密度层和裂纹组成。 改性层是后续晶圆切割和破裂的起点。 通过优化激光和光路系统，可以将改性层限制在晶圆内部，并且不会对晶圆表面和底部造成热损伤。 然后，利用外力将裂纹引导至晶圆表面和底部，将晶圆分离成所需尺寸。

图00002. 碳化硅晶圆激光切割设备图片

图00003. 全球碳化硅晶圆激光切割设备市场前9强生产商排名及市场占有率（基于2022年调研数据；目前最新数据以本公司最新调研数据为准）

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内碳化硅晶圆激光切割设备生产商主要包括DISCO Corporation，德龙激光，大族激光，3D-Micromac，Synova S.A.等。2022年，全球前四大厂商占有大约72.0%的市场份额。

根据QYResearch头部企业研究中心调研，全球范围内碳化硅晶圆激光切割设备生产商主要包括DISCO Corporation，德龙激光，大族激光，3D-Micromac等。2022年，全球前三大厂商占有大约64.0%的市场份额。