取消芯片豁免！美国出口管制再升级，卡“中国芯片制造能力”！

突发，但并不出乎意料！

根据《华尔街日报》消息：负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部长杰弗里·凯斯勒 （Jeffrey Kessler） 已经通知三星电子、SK海力士、台积电等在中国大陆拥有晶圆厂的晶圆制造商，美国计划取消允许它们在中国使用美国技术（主要是半导体设备）的豁免。

这意味着什么呢？从2022年10月美国对华实施半导体设备出口管制后，三星、SK海力士和台积电因在华工厂涉及先进制程，最初获得1年临时豁免，2023年10月升级为“无限期豁免”（VEU），允许其无需单独许可即可进口美国设备（EUV光刻机除外）。取消豁免之后，也就是取消VEU资格，要求每台设备进口均需单独申请许可，审批周期可能长达3-6个月，且存在被拒风险。

美国从2022年开始半导体设备出口管制以来，其目标大多数时候针对的都是中国的“先进制程”半导体；但此次取消豁免已经部分所谓的先进制程或成熟制程了，也就是说，美国现在针对的是中国整体的芯片制造能力。

当然影响最大的当然是——三星、SK海力士和台积电三家大厂了。我们知道，三星和SK海力士存储芯片业务在中国都有庞大的产能；其中，SK海力士无锡工厂供应全球近50%的DRAM芯片；大连工厂承接英特尔NAND业务。中国产能占其DRAM总产量的35-40%，NAND占40-45%；三星西安工厂占全球40%的NAND闪存产能，月产26.5万片12英寸晶圆，占其全球产量的42%；同时，目前主流的NAND Flash芯片正在迈向了128层以上的更高的堆叠层数，主流的DRAM芯片也在进入10纳米级，如果无法获得美系先进的半导体设备及零部件供应，那么不仅现有的产线运营可能将受影响，未来也将无法继续进行技术升级和扩大产能。

而相对而言，台积电影响则不算很大，其南京厂以16/12nm成熟制程为主，月产能仅2万片，占其全球收入约11%。但台积电南京厂2024年净利润260亿新台币，但若16nm设备断供，长期竞争力可能受损。

同时，根据TrendForce数据2025年一季度的全球DRAM市场，SK海力士以36%市场份额位居第一，三星以33.7%的份额居第二。而在2025年一季度的全球NAND Flash市场，三星以31.9%的份额位居第一，SK海力士以16.6%的份额居第二。也就是说，三星与SK海力士一起占据了全球近70%的DRAM市场和近50%的NAND Flash市场。

因而，一旦美国撤销对于三星和SK海力士在华晶圆厂的豁免，不仅他们在华晶圆厂未来的运营将会受到很大的影响，全球的存储芯片供应可能也将受到冲击。

然而这只是对供应链的浅层影响，美国之所以要取消豁免，不分所谓“先进制程”和“成熟制程”一起打击，其深层是要倒逼三星、SK海力士、台积电“退出中国”，彻底孤立中国半导体产业；而最终是期望可以彻底“冻结”中国的芯片制造能力。

但此举显然是美国想当然了，这些年面对美国的重重封锁，中芯国际已成功实现14纳米制程量产，良品率超95%；中微半导体的5nm等离子体刻蚀设备获台积电认证，国产设备市占率大幅提升，北方华创刻蚀机亦进入台积电生产线。可以说，中国成熟制程半导体已经形成了“自主可控”的生态链，美国的限制已经变得“鞭长莫及”。

同时，美国如果取消对三星、SK海力士、台积电在华晶圆厂的豁免，或将使得这些厂商转向中国半导体设备及零部件公司，并最终让中国供应链掌控这些晶圆厂。

实际上，美国之所以现在抛出所谓的“取消豁免政策”更多的是为了迫使中国在稀土出口管制政策上做出让步，可以说美国就是想借此来换取中国对于稀土的出口许可。

因此，美国取消芯片豁免是“技术霸权”与“资源反制”的交锋，短期将冲击韩企产能、推高全球芯片成本，长期却可能加速中国半导体设备国产化。这场博弈的胜负，不取决于单边封锁，而在于谁能更快重构技术自主性与供应链韧性。