人一辈子，为什么一定要去一次敦煌？

最近与华为相关的芯片国产替代的消息很多，涉及：EUV光刻机，四芯片封装专利，以及算力中心批量采购昇腾910C等等，哪些是真的，哪些可能只是小作文，对半导体板块会产生什么影响？

先说光刻机，半导体国产替代的过程中，EUV光刻机的任何进展，都会牵动大家的神经。，这次的消息来自自媒体，核心是说在无尘车间内，完成首台国产极紫外（EUV）光刻机的装机调试，进入芯片试生产流程。注意这个消息是没有官方的证实的。

而且从内容细节上看，核心讲的仍然是：光源的突破——哈工大研发的激光诱导放电等离子体（LDP）技术。这个也不是新鲜事。

我们在生产EUV光源上，采用了与阿斯麦LPP完全不同的技术路径——LDP技术。这次的消息中，提及了核心光源效率已达3.42%，这个数据还是挺夸张的，阿斯麦的EUV这个指标也只有1%左右。传闻如果是真的，相当炸裂。

当然，没有完美的技术，LDP这个技术路径阿斯麦当年也尝试过，但是因为稳定性差就放弃了，我们是不是已经彻底解决了这个问题，消息中并没有涉及。

其实，今年与EUV光刻机国产替代相关的消息一直都没断，先是有美国的媒体说光刻机会在三季度试生产，然后3月份传出，EUV光刻物镜调试的消息。

光源、物镜、双工作台，是光刻机三大核心部件。无风不起浪，综合来有两件事还是能看出眉目的：

关于光刻机，我们还是谨慎乐观比较好，科技的进步不会单纯因为热情就提速，咱们尊重规律，也期待弯道超车的惊喜。

不过，即便EUV光刻机的突破仍需时间，咱们先进算力芯片进步是实打实的。

有两件事：

首先是华为四芯片封装专利曝光。它的作用是：把四个算力芯片和16个存储芯片HBM封装在一起。

大家应该还记得6月初，华为总裁任正非老爷子接受人民日报采访的时候就提到过：我们芯片的单片性能的确落后于美国，但是我们可以用叠加和集群的方式来破局，计算结果上与最先进水平是相当的。

昇腾910B性能也就是英伟达H100的30%；华为的这项技术是把4个910B封装在一起，形成一个超级芯片，这个超级芯片的性能与H100就不相上下了。这个专利是华为2024年4月申请，最近公布的，目前市场推测，这种技术很有可能用来生产华为下一代产品昇腾910D。

英伟达也在用先进封装技术，但是它的先进封装也是基于EUV光刻机支持的，比如给硅片打通孔，华为的这个技术可以避免打孔，同时提升传输效率。真的应了任总那句话：我们是用数学补物理，用非摩尔补摩尔。

另外一个确实的好消息是：关于昇腾910C。910C是把两个910B封装在一起，还是因为缺少先进的制造设备，910C的良率比较低，市场比较担心量产的进展。

6月6日新疆的一个万卡枢纽型智算中心的招标公告，明确提到采购4500台昇腾910C服务器。这就证实了910C在逐步放量的事实。

通过这两个消息，大家应该能感受到，芯片的国产替代是一步一步，扎扎实实的向前走的。这种向前，跟股市涨不涨，没关系，是中国科技崛起之路的必然选择。而且美国人会时不时的来“提醒”我们，就在这两天，美国的商务部声称要取消外资在华晶圆厂的美国技术设备豁免。

这个事情的背景是：拜登时期2022年，美国出台了一个出口管制新规，拒绝中国企业使用有美国技术的设备。在这个管制新规中，对于在中国大陆设厂的韩国、日本、以及中国台湾的企业给了豁免，就是这些企业还能用，现在是威胁把豁免取消。

现在在乎豁不豁免的根本不是中国企业，是美国和美国的盟友。美国的盟友是担心自己的生意做不下去了。比如三星有30%的产能来自中国大陆的工厂；美国本土企业则是担心，总这么搞，是给中国的自主可控提供提速的精神燃料。

等我们愿意公布EUV光刻机进展的时候，那就不是芯片的deepseek时刻了，中国资产的光芒就彻底挡不住了。